FDPF12N50UT
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDPF12N50UT |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 10A TO220F |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.79 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220F-3 |
Serie | FRFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 42W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1395 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
Grundproduktnummer | FDPF12 |
FDPF12N50UT Einzelheiten PDF [English] | FDPF12N50UT PDF - EN.pdf |
1-ELEMENT, N-CHANNEL
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
FAIRCHILD TO-220F
MOSFET NCH 300V 14A TO220F
FAIRCHILD TO-220
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
MOSFET N-CH 500V 12A TO220F
FAIRCHILD TO-220F
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDPF12N50UTonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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